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應(yīng)用材料研發(fā)出最新硅通孔刻蝕技術(shù)
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發(fā)布日期：[2010-12-6]    共閱[2834]次　中國(guó)電氣市場(chǎng)采購(gòu)網(wǎng)[EM39.com]　{鼠標(biāo)雙擊自動(dòng)滾屏}
      應(yīng)用材料在SEMICON Japan上發(fā)布了基于Applied Centura Silvia刻蝕系統(tǒng)的最新硅通孔刻蝕技術(shù)。新的等離子源可將硅刻蝕速率提高40%，快速形成平滑、垂直且具有高深寬比的通孔結(jié)構(gòu)。新系統(tǒng)首次將每片硅片的通孔刻蝕成本降低到10美元以下，幫助芯片制造商將先進(jìn)的3D-IC設(shè)計(jì)引入市場(chǎng)，進(jìn)而推動(dòng)未來(lái)高性能移動(dòng)器件的發(fā)展。
　　應(yīng)用材料公司副總裁兼刻蝕事業(yè)部總經(jīng)理Ellie Yieh表示：“長(zhǎng)期以來(lái)，成本因素一直是限制推廣TSV這一重要技術(shù)的主要障礙。全新的Silvia系統(tǒng)體現(xiàn)了應(yīng)用材料公司在聚焦新技術(shù)開發(fā)、降低TSV制造成本方面所作的努力。Silvia系統(tǒng)無(wú)可匹敵的性能得到了我們客戶的高度認(rèn)可，該系統(tǒng)能幫助他們將TSV技術(shù)用于大規(guī)模的生產(chǎn)�！�
　　新的超高密度等離子源能將Silvia系統(tǒng)的硅刻蝕速率提高40%，同時(shí)保持系統(tǒng)標(biāo)志性的精確輪廓控制和平滑垂直的通孔側(cè)壁，這對(duì)于后續(xù)的高質(zhì)量覆蓋和填充薄膜的沉積具有至關(guān)重要的意義。此外，Silvia系統(tǒng)一流的速度和精確度使其成為其它成本敏感型3D-IC封裝應(yīng)用的理想選擇，譬如“通孔呈現(xiàn)刻蝕”，它需要快速、高度一致地從硅片背面去除大量的硅。
　　根據(jù)市場(chǎng)研究公司Gartner Dataquest的報(bào)告，從2009年全球系統(tǒng)出貨收入來(lái)看，應(yīng)用材料公司在TSV刻蝕和硅片級(jí)封裝兩個(gè)市場(chǎng)均排名第一。應(yīng)用材料公司是唯一一家擁有完整機(jī)臺(tái)系列可以涵蓋所有TSV制造流程的公司，包括刻蝕、CVD、PVD、ECD、硅片表面預(yù)處理和CMP。應(yīng)用材料公司的Maydan技術(shù)中心具有獨(dú)特的驗(yàn)證完整工藝流程的能力，從而幫助客戶降低風(fēng)險(xiǎn)，加快客戶探索進(jìn)程，確保從研發(fā)到量產(chǎn)的順利過(guò)渡。
 
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