在傳統(tǒng)半導(dǎo)體電子設(shè)備中，晶格缺陷是一種瑕疵，它們會(huì)把電子“陷落”固定在特殊晶格位上。但研究小組卻發(fā)現(xiàn)，在碳化硅中，被晶格缺陷“陷落”的電子能以某種方式初始化它們的量子態(tài)，通過(guò)一種光與微波輻射結(jié)合的方式，能對(duì)其進(jìn)行精確操控和測(cè)量。這意味著，每個(gè)晶格缺陷都符合量子比特的要求，作為一種量子力學(xué)模擬晶體管來(lái)使用。

　　“我們期待把這些不完美的瑕疵變得完美而實(shí)用，而不是讓晶體變得完美有序，把這些瑕疵作為未來(lái)量子技術(shù)的基礎(chǔ)�！闭撐淖髡�、該校自旋電子及量子計(jì)算中心主管、物理學(xué)教授大衛(wèi)?奧斯卡洛姆介紹說(shuō)，大部分材料的晶格缺陷都沒(méi)這種屬性，這和材料的原子結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體的電子特征密切相關(guān)。目前已知的唯一擁有相同特征的系統(tǒng)是鉆石中的氮晶格空位中心(nitrogen-vacancy center)，由氮原子取代了碳原子及鄰近晶格空位導(dǎo)致，也能在室溫下用作量子比特，而其他物質(zhì)的量子態(tài)要求接近絕對(duì)零度。但氮晶格空位中心的鉆石很難生長(zhǎng)，給制造集成電路帶來(lái)很大困難。

　　相比之下，商業(yè)中用的高質(zhì)量碳化硅晶體直徑能達(dá)到幾英寸，很容易用在各種各樣的電子設(shè)備、光電設(shè)備和電動(dòng)機(jī)械設(shè)備中。研究人員指出，碳化硅晶格缺陷適用于紅外光，其能量和目前整個(gè)現(xiàn)代電訊網(wǎng)絡(luò)所用的光很接近。未來(lái)的集成量子設(shè)備有著精密的電子和光學(xué)線路，這些獨(dú)特的性質(zhì)讓碳化硅成為最有吸引力的候選材料。

　　“我們的夢(mèng)想是能自由設(shè)計(jì)量子機(jī)械設(shè)備。就像城市工程師能按照載荷能力、跨度設(shè)計(jì)橋梁一樣，希望有一天量子工程師能按照量子糾纏度、與環(huán)境相互作用度等規(guī)格指標(biāo)來(lái)設(shè)計(jì)量子電器設(shè)備�！闭撐念I(lǐng)導(dǎo)作者、奧斯卡羅姆實(shí)驗(yàn)室研究生威廉姆?凱爾說(shuō)。